P-канальный обогащение Mosfet

P-канальный обогащение Mosfet

Артикул: C19189186 Part Number: TM0036P03D Производитель: Tritech-MOS
от 0.216400 ₽ В наличии: 500 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.472000 ₽
10 шт. 0.383500 ₽
30 шт. 0.344200 ₽
100 шт. 0.296700 ₽
500 шт. 0.275400 ₽
1000 шт. 0.216400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 100A
Рассеиваемая мощность (Pd) 60W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 3.6mΩ@10V;5.5mΩ@4.5V
Заряд затвора (Qg) 146nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 5.07nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 580pF
Выходная ёмкость (Coss) 695pF

Описание

30V 100A 1.5V 60W 1 P-канальный TO-252-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS