P-канальный обогащение Mosfet
Артикул: C19189185
Part Number: TM006P03NF
Производитель: Tritech-MOS
от 0.156500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.307600 ₽ |
| 10 шт. | 0.243200 ₽ |
| 30 шт. | 0.215500 ₽ |
| 100 шт. | 0.181100 ₽ |
| 500 шт. | 0.165800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.156500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6mΩ@10V;9mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 487pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 529pF |
Описание
30V 70A 1.6V 31.2W 1 P-канальный P-канальный DFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS