P-канальный обогащение Mosfet
Артикул: C19189178
Part Number: TM015P02DF
Производитель: Tritech-MOS
от 0.059500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.062600 ₽ |
| 50 шт. | 0.061200 ₽ |
| 150 шт. | 0.060400 ₽ |
| 500 шт. | 0.059500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 15.3nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 231pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 242pF |
Описание
20V 30A 700mV 15mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный DFN3x3-8L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS