Tritech-MOS TM017H04DF
Артикул: C19189168
Part Number: TM017H04DF
Производитель: Tritech-MOS
от 0.093400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.098300 ₽ |
| 50 шт. | 0.096200 ₽ |
| 150 шт. | 0.094800 ₽ |
| 500 шт. | 0.093400 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 33A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31.3W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 3.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 376pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 240pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40V 33A 1.5V 31.3W 17mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный PDFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS