Эмиттер IR 855nm 1000mA поверхностный монтаж (SMD)
Артикул: C19185828
Part Number: JNJ-LTJI0113T30/42mil/845-860nm
Производитель: JNJOPTO
от 0.328900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.638300 ₽ |
| 10 шт. | 0.511300 ₽ |
| 30 шт. | 0.449400 ₽ |
| 100 шт. | 0.385900 ₽ |
| 500 шт. | 0.348500 ₽ |
| 800 шт. | 0.328900 ₽ |
Характеристики
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Доминирующая длина волны | 855nm |
| Прямое напряжение (Vf) | 1.3V~2.1V;1.4V~2.2V |
| Постоянный прямой ток (If) | 1A |
| Постоянное обратное напряжение (Vr) | 5V |
| Рабочая температура | -40℃~+100℃ |
| Угол обзора | 30° |
| Ширина спектра на половине максимума | 35nm |
Описание
Инфракрасный (IR) эмиттер 855nm 1.3V~2.1V 1.4V~2.2V 1000mA 120mW/sr@350mA 320mW/sr@1000mA 30° поверхностный монтаж 3535-3P