Кремний карбид мощность MOSFET 1200V, 12A, 520mΩ

Кремний карбид мощность MOSFET 1200V, 12A, 520mΩ

Артикул: C191378 Part Number: SCT10N120 Производитель: ST
от 6.269300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.914800 ₽
10 шт. 7.666700 ₽
30 шт. 6.907000 ₽
100 шт. 6.269300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 12A
Рабочая температура -55℃~+200℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 3.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 690mΩ
Заряд затвора (Qg) 22nC
Входная ёмкость (Ciss) 290pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 9pF
Выходная ёмкость (Coss) 30pF

Описание

1.2kV 12A 3.5V 150W 690mΩ 1 N-канальный N-канальный HiP-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS