18 V, 5A eFuse микросхема с регулируемый защита от перегрузки по току и обратный ток блокировка FET управление
Артикул: C1880271
Part Number: TCKE812NA,RF
Производитель: TOSHIBA
от 0.463900 ₽
В наличии: 5784 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.924400 ₽ |
| 10 шт. | 0.735900 ₽ |
| 30 шт. | 0.642500 ₽ |
| 100 шт. | 0.549100 ₽ |
| 500 шт. | 0.491700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.463900 ₽ |
Характеристики
| Тип полевого транзистора | External FET |
| Количество каналов | 1 |
| Пороговое напряжение | - |
| Ток срабатывания | 500mA~4A |
| Пиковый выходной ток отдачи (Source) | - |
| Пиковый выходной ток поглощения (Sink) | - |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 28mΩ |
| Напряжение питания | 18V |
| Длина | 3mm |
| Ширина | 3mm |
| Высота | 0.7mm |
| Рабочая температура | -40℃~+85℃ |
| Особенности | Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Overvoltage clamping protection;Thermal Protection;Under-voltage lockout |
Описание
18V 1 VSON-10-EP(3x3) регулирование и управление током RoHS