Транзистор NPN+PNP 65V 100mA SOT-363

Транзистор NPN+PNP 65V 100mA SOT-363

Артикул: C185062 Part Number: SBC847BPDW1T1G Производитель: onsemi
от 0.034300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.070300 ₽
50 шт. 0.054800 ₽
150 шт. 0.047100 ₽
500 шт. 0.041300 ₽
3000 шт. 0.036600 ₽
6000 шт. 0.034300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN+PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 65V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 380mW
Коэффициент усиления по постоянному току 150
Рабочая температура -55℃~+150℃
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 100MHz
Ток отсечки коллектора 15nA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Количество 1 NPN + 1 PNP

Описание

Биполярные транзисторы (BJT) транзистор NPN+PNP 65V 100mA 100MHz 380mW поверхностный монтаж SOT-363