Транзистор предварительное смещение 50V SOT-553
Артикул: C185019
Part Number: EMG5T2R
Производитель: ROHM
от 0.037400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.039700 ₽ |
| 50 шт. | 0.038700 ₽ |
| 150 шт. | 0.038100 ₽ |
| 500 шт. | 0.037400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-553