onsemi NGTB50N65FL2WG
Артикул: C185013
Part Number: NGTB50N65FL2WG
Производитель: onsemi
от 6.620400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.500100 ₽ |
| 10 шт. | 7.687800 ₽ |
| 30 шт. | 7.034700 ₽ |
| 100 шт. | 6.620400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 417W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 220nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.328nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 252pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 148pF |
| Время задержки включения Td(on) | 100ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 237ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 460uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 94ns |
Описание
417W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS