18 V, 5A eFuse микросхема с регулируемый защита от перегрузки по току и обратный ток блокировка FET управление

18 V, 5A eFuse микросхема с регулируемый защита от перегрузки по току и обратный ток блокировка FET управление

Артикул: C1849459 Part Number: TCKE805NA,RF Производитель: TOSHIBA
от 1.196800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.073800 ₽
10 шт. 1.746000 ₽
30 шт. 1.542500 ₽
100 шт. 1.332500 ₽
500 шт. 1.237200 ₽
1000 шт. 1.196800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип полевого транзистора Integrated FET
Количество каналов 1
Пороговое напряжение -
Ток срабатывания 500mA~5.15A
Пиковый выходной ток отдачи (Source) -
Пиковый выходной ток поглощения (Sink) -
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 28mΩ
Напряжение питания 18V
Длина 3mm
Ширина 3mm
Высота 0.7mm
Рабочая температура -40℃~+85℃
Особенности Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Overvoltage clamping protection;Thermal Protection;Under-voltage lockout

Описание

18V 1 WSON-10-EP(3x3) регулирование и управление током RoHS