IGBT - ограничение поля II
Артикул: C184921
Part Number: NGTB40N65FL2WG
Производитель: onsemi
от 6.454700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.667400 ₽ |
| 10 шт. | 7.814500 ₽ |
| 30 шт. | 7.309200 ₽ |
| 100 шт. | 6.797500 ₽ |
| 500 шт. | 6.560300 ₽ |
| 1000 шт. | 6.454700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 366W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 170nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@0.65mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.06nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 179pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 115pF |
| Время задержки включения Td(on) | 84ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 177ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 970uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 440uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 172ns |
Описание
366W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS