onsemi NGTB05N60R2DT4G
Артикул: C184780
Part Number: NGTB05N60R2DT4G
Производитель: onsemi
от 0.719800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.122700 ₽ |
| 10 шт. | 0.957000 ₽ |
| 30 шт. | 0.875700 ₽ |
| 100 шт. | 0.792900 ₽ |
| 500 шт. | 0.744100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.719800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 56W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 740pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 30pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 20pF |
| Время задержки включения Td(on) | 44ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 82ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 188uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 60uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 70ns |
Описание
56W 8A 600V TO-252-2(DPAK) одиночные IGBT-транзисторы RoHS