onsemi NGTB40N120SWG
Артикул: C184494
Part Number: NGTB40N120SWG
Производитель: onsemi
от 10.396000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.699800 ₽ |
| 10 шт. | 10.569800 ₽ |
| 30 шт. | 10.482100 ₽ |
| 90 шт. | 10.396000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 535W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 313nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.385nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Время задержки включения Td(on) | 116ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 286ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 240ns |
Описание
535W 40A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS