onsemi H11G2SR2M
Артикул: C184491
Part Number: H11G2SR2M
Производитель: onsemi
от 0.302400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.557200 ₽ |
| 10 шт. | 0.452900 ₽ |
| 30 шт. | 0.400700 ₽ |
| 100 шт. | 0.350000 ₽ |
| 500 шт. | 0.319300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.302400 ₽ |
Характеристики
| Тип входа | DC |
| Прямое напряжение (Vf) | 1.3V |
| Тип выхода | Phototransistor |
| Количество каналов | - |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 4.17kV |
| Выходной ток | - |
| Напряжение нагрузки | 80V |
| Обратное напряжение | 6V |
| Коэффициент передачи тока | 500%;- |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 750mV@1mA,1mA |
| Время нарастания | - |
| Время спада | - |
| Полная рассеиваемая мощность (Pd) | 290mW |
| Прямой ток (If) | 60mA |
| Особенности | Darlington output structure |
Описание
750mV@1mA,1mA 80V 6V 1.3V DC SMD-6P оптоизоляторы с транзисторным и фотовольтаическим выходом RoHS