onsemi NCP5111DR2G
Артикул: C184093
Part Number: NCP5111DR2G
Производитель: onsemi
от 0.600900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.059200 ₽ |
| 10 шт. | 0.881400 ₽ |
| 30 шт. | 0.783300 ₽ |
| 100 шт. | 0.671400 ₽ |
| 500 шт. | 0.622400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.600900 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 85ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 250mA |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 500mA |
| Особенности | Dead-time control |
| Ток покоя | - |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
250mA 10V~20V 500mA SOIC-8 драйверы затворов RoHS