NPN дарлингтона мощность транзистор
Артикул: C18221459
Part Number: MJ11032G-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 1.491400 ₽
В наличии: 161 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.418900 ₽ |
| 10 шт. | 2.074800 ₽ |
| 25 шт. | 1.858500 ₽ |
| 100 шт. | 1.635600 ₽ |
| 500 шт. | 1.535600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.491400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 120V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 18000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.5V@50A,500mA |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
120V 18000 50A NPN TO-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS