1200V SiC мощность MOSFET
Артикул: C18212967
Part Number: S2M0025120J
Производитель: SMC
от 21.389100 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 22.521800 ₽ |
| 30 шт. | 21.389100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 311W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 34mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 177nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.15nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 201pF |
Описание
1.2kV 70A 4V 311W 34mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)