Транзистор предварительное смещение NPN SOT-353
Артикул: C18208585
Part Number: UMC3N
Производитель: Slkor
от 0.021400 ₽
В наличии: 1220 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.041600 ₽ |
| 100 шт. | 0.032900 ₽ |
| 300 шт. | 0.028600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.025300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.022700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.021400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased (Base-Collector Junction) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения (основание-коллектор переход) 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-353