Эмиттер IR 855nm 1000mA поверхностный монтаж (SMD)

Эмиттер IR 855nm 1000mA поверхностный монтаж (SMD)

Артикул: C18199853 Part Number: JNJ-LLJI0113W120/42mil/845-860nm Производитель: JNJOPTO
от 0.280700 ₽ В наличии: 32 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.618100 ₽
10 шт. 0.480200 ₽
30 шт. 0.410400 ₽
100 шт. 0.342300 ₽
500 шт. 0.301800 ₽
1000 шт. 0.280700 ₽

Datasheet

Характеристики

Рассеиваемая мощность (Pd) -
Доминирующая длина волны 855nm
Прямое напряжение (Vf) 1.4V~2.1V;1.5V~2.3V
Постоянный прямой ток (If) 1A
Постоянное обратное напряжение (Vr) 5V
Рабочая температура -40℃~+100℃
Угол обзора 120°
Ширина спектра на половине максимума 30nm

Описание

Инфракрасный (IR) эмиттер 855nm 1.4V~2.1V 1.5V~2.3V 1000mA 60mW/sr@350mA 210mW/sr@1000mA 120° поверхностный монтаж 8080-3P