700V встроенный бутстреп высокий/низкий-боковой мощность полумостовой драйвер микросхема

700V встроенный бутстреп высокий/низкий-боковой мощность полумостовой драйвер микросхема

Артикул: C18194985 Part Number: IRS2308STRPBF-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.365800 ₽ В наличии: 386 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.674700 ₽
10 шт. 0.537600 ₽
30 шт. 0.469800 ₽
100 шт. 0.402000 ₽
500 шт. 0.387800 ₽
1000 шт. 0.365800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOP-8