JSMSEMI FQD19N10TM-JSM
Артикул: C18194770
Part Number: FQD19N10TM-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.161200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.425100 ₽ |
| 200 шт. | 0.169600 ₽ |
| 500 шт. | 0.164000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.161200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 55W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 70mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 13nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.15nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 55pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 700pF |
Описание
100V 19A 2.5V 55W 70mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS