JSMSEMI FDD10AN06A0-JSM
Артикул: C18192498
Part Number: FDD10AN06A0-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.215500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.567500 ₽ |
| 200 шт. | 0.227600 ₽ |
| 500 шт. | 0.220000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.215500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 81W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 17.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.204nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 194.1pF |
Описание
60V 55A 2.5V 81W 13mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS