JSMSEMI SI2301DS-T1-GE3-JSM
Артикул: C18191306
Part Number: SI2301DS-T1-GE3-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.026400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.069700 ₽ |
| 200 шт. | 0.027800 ₽ |
| 500 шт. | 0.026900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.026400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | - |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 415pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
20V 3A 1V 1.25W 140mΩ@2.5V 1 P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS