JSMSEMI FQP55N10-JSM
Артикул: C18187683
Part Number: FQP55N10-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.466000 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.845700 ₽ |
| 10 шт. | 0.690900 ₽ |
| 50 шт. | 0.612700 ₽ |
| 100 шт. | 0.536100 ₽ |
| 500 шт. | 0.490500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.466000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 260pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 610pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 55A 4V 200W 20mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS