onsemi MUN5114T1G
Артикул: C177205
Part Number: MUN5114T1G
Производитель: onsemi
от 0.016900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.037300 ₽ |
| 100 шт. | 0.029400 ₽ |
| 300 шт. | 0.025000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.020500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.018200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.016900 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 310mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 140 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.25 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 140 100mA 310mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SC-70-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS