Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы
Артикул: C17702037
Part Number: MJD127T4G
Производитель: Cmos
от 0.129400 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.263900 ₽ |
| 50 шт. | 0.218100 ₽ |
| 150 шт. | 0.198500 ₽ |
| 500 шт. | 0.174000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.135900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.129400 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000;8000;100 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V@8A,80mA |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 8A PNP TO-252 одиночные биполярные транзисторы RoHS