700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C17701714 Part Number: DGD2304S8-13-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.375400 ₽ В наличии: 4014 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.711500 ₽
10 шт. 0.569500 ₽
30 шт. 0.499400 ₽
100 шт. 0.429200 ₽
500 шт. 0.398200 ₽
1000 шт. 0.375400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 130ns
Время задержки низкого уровня 130ns
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий 800mV
Входной логический уровень — высокий 2.5V

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8