700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C17701707 Part Number: LF2103NTR-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.216300 ₽ В наличии: 89 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.435600 ₽
10 шт. 0.342900 ₽
30 шт. 0.302800 ₽
100 шт. 0.251800 ₽
500 шт. 0.230200 ₽
1000 шт. 0.216300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOP-8