700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C17701706
Part Number: DGD2103MS8-13-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.270300 ₽
В наличии: 64 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.515900 ₽ |
| 10 шт. | 0.415500 ₽ |
| 30 шт. | 0.366100 ₽ |
| 100 шт. | 0.315100 ₽ |
| 500 шт. | 0.285800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.270300 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 75ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 300mA |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 600mA |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 120uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8