700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C17701703 Part Number: IR2103STRPBF-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.230700 ₽ В наличии: 1810 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.463000 ₽
10 шт. 0.363900 ₽
30 шт. 0.321700 ₽
100 шт. 0.268100 ₽
500 шт. 0.243700 ₽
1000 шт. 0.230700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8