AGMSEMI AGMH6035D
Артикул: C17701052
Part Number: AGMH6035D
Производитель: AGMSEMI
от 0.356800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.576700 ₽ |
| 10 шт. | 0.482200 ₽ |
| 30 шт. | 0.443100 ₽ |
| 100 шт. | 0.392600 ₽ |
| 500 шт. | 0.369800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.356800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 125A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 119W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 47nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
60V 125A 4V 119W 4.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS