VISHAY SIHP21N65EF-GE3
Артикул: C17696459
Part Number: SIHP21N65EF-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.244400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.920500 ₽ |
| 200 шт. | 2.363500 ₽ |
| 500 шт. | 2.284100 ₽ |
| 1000 шт. | 2.244400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 21A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 106nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.322nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 105pF |
Описание
650V 21A 4V 208W 180mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS