MICROCHIP APT45GP120JDQ2
Артикул: C17695670
Part Number: APT45GP120JDQ2
Производитель: MICROCHIP
от 35.176800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 92.791900 ₽ |
| 200 шт. | 37.024700 ₽ |
| 500 шт. | 35.787200 ₽ |
| 1000 шт. | 35.176800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 329W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V;3.9V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.9V@15V,45A |
| Заряд затвора (Qg) | 185nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.995nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns;150ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 900uJ;1.87mJ;3.08mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 905uJ;2.255mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns;300ns;380ns;160ns |
Описание
329W 75A 1.2kV PT (пробойник-Through) модули IGBT RoHS