TOSHIBA RN1901FETE85LF
Артикул: C17680106
Part Number: RN1901FETE85LF
Производитель: TOSHIBA
от 0.038200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.100800 ₽ |
| 200 шт. | 0.040200 ₽ |
| 500 шт. | 0.038900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.038200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
30 200mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-563(SOT-666) сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS