Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD

Артикул: C176705 Part Number: 3DD13003E1D-BD Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 0.061600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.099500 ₽
50 шт. 0.083200 ₽
150 шт. 0.075100 ₽
500 шт. 0.069000 ₽
2000 шт. 0.064100 ₽
4000 шт. 0.061600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 400V
Рассеиваемая мощность (Pd) 800mW
Ток коллектора (Ic) 1.3A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 15
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 800mV
Ток отсечки коллектора 100uA
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 5MHz

Описание

400V 15 1.3A 1 NPN NPN TO-92-3 одиночные биполярные транзисторы