Infineon IGW25N120H3FKSA1
Артикул: C17662862
Part Number: IGW25N120H3FKSA1
Производитель: Infineon
от 4.663600 ₽
В наличии: 28 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.862300 ₽ |
| 10 шт. | 4.776900 ₽ |
| 30 шт. | 4.721000 ₽ |
| 90 шт. | 4.663600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 326W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 115nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.4V@15V,25A |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.43nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 95pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 75pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 277ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.65mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.65mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
326W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3-1 одиночные IGBT-транзисторы RoHS