Infineon FP100R07N3E4B11
Артикул: C17652878
Part Number: FP100R07N3E4B11
Производитель: Infineon
от 88.671000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 233.905500 ₽ |
| 200 шт. | 93.330900 ₽ |
| 500 шт. | 90.211600 ₽ |
| 1000 шт. | 88.671000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 335W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.95V@15V,100A |
| Заряд затвора (Qg) | 1uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.2nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 190pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 70ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 330uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
335W 100A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS