ROHM EMB3FHAT2R
Артикул: C17649349
Part Number: EMB3FHAT2R
Производитель: ROHM
от 0.022100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.058200 ₽ |
| 200 шт. | 0.023300 ₽ |
| 500 шт. | 0.022500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.022100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
100 150mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-563(SOT-666) сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS