MICROCHIP APTGTQ100H65T3G
Артикул: C17647843
Part Number: APTGTQ100H65T3G
Производитель: MICROCHIP
от 90.860700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 239.683200 ₽ |
| 200 шт. | 95.634900 ₽ |
| 500 шт. | 92.438900 ₽ |
| 1000 шт. | 90.860700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V;2.2V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.3V;4.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 240nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 6nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 180ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 46ns;62ns |
Описание
250W 100A 650V модули IGBT RoHS