MICROCHIP APT65GP60B2G
Артикул: C17643235
Part Number: APT65GP60B2G
Производитель: MICROCHIP
от 15.613700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 41.185500 ₽ |
| 210 шт. | 16.433800 ₽ |
| 510 шт. | 15.883900 ₽ |
| 990 шт. | 15.613700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 833W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 210nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.4nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 580pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 35pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 91ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 605uJ;1.408mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 896uJ;1.47mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
833W 100A 600V PT (пробойник-Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS