onsemi NCV57256DR2G
Артикул: C17636103
Part Number: NCV57256DR2G
Производитель: onsemi
от 2.852100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.523800 ₽ |
| 200 шт. | 3.001800 ₽ |
| 500 шт. | 2.901500 ₽ |
| 1000 шт. | 2.852100 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge;High Side;Low Side |
| Количество каналов | 2 |
| Напряжение питания | 3.3V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 3.5A |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 3.5A |
| Время нарастания | 12ns |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время спада | 10ns |
| Задержка распространения (tpd) | -;- |
| Входной логический уровень — высокий | - |
| Ток покоя | - |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Особенности | Enable shutdown;Dead-time control;Interleaved conduction protection |
Описание
3.5A 3.3V~20V 12ns 10ns 3.5A SOIC-16 изолированные драйверы затворов RoHS