TOSHIBA RN1130MFV,L3F
Артикул: C17632366
Part Number: RN1130MFV,L3F
Производитель: TOSHIBA
от 0.010800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.028400 ₽ |
| 200 шт. | 0.011400 ₽ |
| 500 шт. | 0.011000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.010800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.6V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 130kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 100 100mA 150mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-723 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS