Infineon FS150R17N3E4B11
Артикул: C17627664
Part Number: FS150R17N3E4B11
Производитель: Infineon
от 114.881700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 303.049800 ₽ |
| 200 шт. | 120.918400 ₽ |
| 500 шт. | 116.877900 ₽ |
| 1000 шт. | 114.881700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 835W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.7uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 13.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 440pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 200ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 510ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 18mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 26.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
835W 150A 1.7kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS