MICROCHIP APTGTQ100DA65T1G
Артикул: C17625969
Part Number: APTGTQ100DA65T1G
Производитель: MICROCHIP
от 59.370600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 156.614100 ₽ |
| 200 шт. | 62.490900 ₽ |
| 500 шт. | 60.402100 ₽ |
| 1000 шт. | 59.370600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 240nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns;15ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 18ns;26ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 46ns;62ns |
Описание
250W 100A 650V модули IGBT RoHS