TOSHIBA GT20N135SRA,S1E

TOSHIBA GT20N135SRA,S1E

Артикул: C17622325 Part Number: GT20N135SRA,S1E Производитель: TOSHIBA
от 5.200000 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.478600 ₽
10 шт. 5.358900 ₽
30 шт. 5.280300 ₽
90 шт. 5.200000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 312W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.35kV
Ток коллектора (Ic) 40A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V
Заряд затвора (Qg) 185nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 2.7nF
Выходная ёмкость (Coes) 42pF
Проходная ёмкость (Cres) 35pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) 280uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

312W 40A 1.35kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS