Infineon FP75R12N2T7B11BPSA2
Артикул: C17618316
Part Number: FP75R12N2T7B11BPSA2
Производитель: Infineon
от 73.646800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 194.276000 ₽ |
| 195 шт. | 77.517100 ₽ |
| 495 шт. | 74.927100 ₽ |
| 1005 шт. | 73.646800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 15.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 53pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 146ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 320ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8.05mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.95mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 75A 1.2kV модули IGBT RoHS