Infineon FZ1200R17HE4P
Артикул: C17618032
Part Number: FZ1200R17HE4P
Производитель: Infineon
от 617.799000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 692.360800 ₽ |
| 201 шт. | 650.266200 ₽ |
| 501 шт. | 628.536000 ₽ |
| 999 шт. | 617.799000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 1.2kA |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V;2.75V;2.9V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 97nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 3.15nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 680ns;790ns;810ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.1us;1.2us;1.25us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280mJ;370mJ;400mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 240mJ;380mJ;420mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.2kA 1.7kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS