VISHAY SISF20DN-T1-GE3
Артикул: C17613858
Part Number: SISF20DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.645300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.702500 ₽ |
| 200 шт. | 0.680100 ₽ |
| 500 шт. | 0.657400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.645300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Common Drain |
| Непрерывный ток стока (Id) | 52A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18.5mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | 33nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.29nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 340pF |
Описание
60V 52A 18.5mΩ@4.5V 69.4W 3V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS