MOSFET 2N-канал 40V 40A
Артикул: C17611288
Part Number: SIRB40DP-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.283500 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.335500 ₽ |
| 10 шт. | 1.312700 ₽ |
| 30 шт. | 1.298100 ₽ |
| 100 шт. | 1.283500 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 46.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 93nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.29nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 102pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 680pF |
Описание
40V 40A 4.2mΩ@4.5V 46.2W 2.4V 2 N-канальный PowerPAK-SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS